دیتاشیت TK8R2A06PL,S4X
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
TK8R2A06PL,S4X
|
| حجم فایل |
42.757
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
9
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
TOSHIBA TK8R2A06PL,S4X
-
Power Dissipation (Pd):
36W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
28.4nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
60V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
1990pF@25V
-
Continuous Drain Current (Id):
50A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2.5V@300uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
11.4mΩ@4.5V,8A
-
Package:
TO-220
-
Manufacturer:
TOSHIBA
